三星(中國)半導體有限公司12英寸閃存芯片 二期項目

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三星(中國)半導體有限公司12英寸閃存芯片二期項目,位于陜西省西安市長安區西太路綜合保稅區內,該工程占地面積為52826㎡ ,項目總投資150億美元,主要制造閃存芯片。

我公司承擔了GCS棟地下及屋面等部位防水工程。


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